Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 0.23 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, BSS306NH6327XTSA1, BSS系列

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RS 库存编号:
250-0556
制造商零件编号:
BSS306NH6327XTSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

0.23A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

SOT-23

系列

BSS

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

3.5mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

81W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

Distrelec Product Id

304-40-501

汽车标准

AEC-Q101

英飞凌制造的 N 沟道型增强模式 小信号 MOSFET 晶体管 被广泛用于高切换应用。它具有雪崩等级和无卤。此器件是 OptiMOS 2、小信号晶体管。逻辑级别(4.5V 额定值)和雪崩等级。它100%无铅且无卤。

N 沟道型、增强模式

逻辑级别4.5V 等级

最大功耗为 500mW

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。