Vishay N型沟道消耗型功率 MOSFET, Vds=650 V, 40 A, PowerPAK 10 x 12, 表面安装, 8引脚, SIHK055N60EF-T1GE3, EF系列

RS 库存编号:: 252-0264
制造商零件编号:: SIHK055N60EF-T1GE3
制造商:: Vishay

Vishay N型沟道消耗型功率 MOSFET, Vds=650 V, 40 A, PowerPAK 10 x 12, 表面安装, 8引脚, SIHK055N60EF-T1GE3, EF系列

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RS 库存编号:: 252-0264
制造商零件编号:: SIHK055N60EF-T1GE3
制造商:: Vishay

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	功率 MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	40A
	最大漏源电压 Vd	650V
	系列	EF
	包装类型	PowerPAK 10 x 12
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.05mΩ
	通道模式	消耗
	最大功耗 Pd	236W
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	90nC
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	1.2V
	最高工作温度	+150°C
	标准/认证	RoHS
	长度	6.15mm
	宽度	5.15mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型功率 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 40A
	最大漏源电压 Vd 650V
	系列 EF
	包装类型 PowerPAK 10 x 12
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.05mΩ
	通道模式消耗
	最大功耗 Pd 236W
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 90nC
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 1.2V
	最高工作温度 +150°C
	标准/认证 RoHS
	长度 6.15mm
	宽度 5.15mm
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - SIHK055N60EF-T1GE3

Vishay EF 系列功率 MOSFET,650 V 漏源电压,40 A 最大连续漏电流 - SIHK055N60EF-T1GE3

此功率 MOSFET 是一款高电压 N 通道设备,专为要求严苛的功率转换和汽车应用而设计。它可在宽温度范围内工作,专为需要稳健开关、高电压耐受性和汽车认证的表面贴装部署而设计。

特性和优点：

• 650V 排放额定值可实现高电压开关应用 • 40A 连续电流支持大负载电流 • 0.05mΩ Rds(on),可最大程度地减少运行过程中的导电损耗 • 236W 功耗可实现高热吞吐量 • 90nC 典型栅极电荷可减少每次转换的切换能量 • AEC-Q101 认证可满足汽车应力和可靠性需求

应用

• 适用于汽车电子设备中的牵引变频器级别 • 适用于工业自动化领域的高压直流-直流转换器 • 用于配电系统中的开关模式电源 • 可用于需要高电流容量的电机驱动级 • 适用于紧凑型表面安装电源模块

高效切换需要考虑哪些栅极驱动因素?

驱动电路应容纳高达 ±20V 的栅极偏移,并提供足够的峰值电流,以在管理切换损耗的同时为所选 Vgs 90nC 栅极充电。

热管理对连续运行有何影响?

为了保持 236W 耗散,需要使用大型铜平面或PowerPAK基材的散热器等热路径,以保持接线温度在指定的 +150°C 范围内。

哪些安装和布局方法可提高性能?

使用低电感表面贴装布局,带短宽轨道,用于排放和源,并将栅极电阻器和去耦接近引脚,以减少振铃和电磁干扰。

Vishay N型沟道 消耗型 功率 MOSFET, Vds=650 V, 40 A, PowerPAK 10 x 12, 表面安装, 8引脚, SIHK055N60EF-T1GE3, EF系列

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