Vishay N沟道MOSFET, Vds=20 V, Id=5.2 A, TSSOP-8
- RS 库存编号:
- 256-7383
- 制造商零件编号:
- SI6968BEDQ-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- 256-7383
- 制造商零件编号:
- SI6968BEDQ-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 5.2A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 包装类型 | TSSOP-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 5.2A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
包装类型 TSSOP-8 | ||
安装类型 表面 | ||
Vishay Semiconductor 双 N 沟道 MOSFET 共漏极器件，具备 ESD 保护且含铅端接，不符合 RoHS 标准。
TrenchFET 功率 MOSFET
ESD 防护 3000 V
表面贴装于 FR4 基板
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