Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=200 V, 12 A, TO-220, 通孔安装, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 257-9278
- 制造商零件编号:
- IRF200B211
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB6.651 | RMB332.55 |
| 100 - 200 | RMB6.451 | RMB322.55 |
| 250 - 450 | RMB6.129 | RMB306.45 |
| 500 - 950 | RMB5.70 | RMB285.00 |
| 1000 + | RMB5.187 | RMB259.35 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 257-9278
- 制造商零件编号:
- IRF200B211
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 12A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 170mΩ | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 12A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 通孔 | ||
最大漏源电阻 Rd 170mΩ | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IRF 系列是红外 MOSFET 系列的功率 MOSFET,利用经验证的硅工艺,为设计人员提供广泛的器件组合,以支持各种应用,如直流电动机、变频器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用。
经优化,可从分销合作伙伴获得最广泛的可用性
产品符合 JEDEC 标准
工业标准通孔电源封装
高电流承载能力封装