Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=-20 V, -6.7 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, HEXFET系列

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RS 库存编号:
257-9309
制造商零件编号:
IRF7404TRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

-6.7A

最大漏源电压 Vd

-20V

包装类型

SO-8

系列

HEXFET

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

40mΩ

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

12 V

最大功耗 Pd

2.5W

正向电压 Vf

-1V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

33.3nC

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

Infineon IRF 系列是强大的 IRFET 功率 Mosfet 系列,经优化用于低 RDS(接通)和高电流能力。该器件特别适用于需要性能和坚固性的低频应用。

平面电池结构,用于宽 SOA

经优化,可从分销合作伙伴获得最广泛的可用性

产品符合 JEDEC 标准

硅优化用于低于 100 kHz 的切换应用

工业标准表面安装电源封装

可波焊

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。