Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=80 V, 10 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, HEXFET系列

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RS 库存编号:
257-9321
制造商零件编号:
IRF7854TRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

10A

最大漏源电压 Vd

80V

包装类型

SO-8

系列

HEXFET

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

13.4mΩ

最大栅源电压 Vgs

±20 V

最大功耗 Pd

2.5W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

27nC

正向电压 Vf

1.3V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS Compliant

汽车标准

Infineon IRF 系列是 80V n 通道强大的 IRFET 功率 Mosfet,采用 SO 8 封装。强大的 IRFET 功率 Mosfet 系列经优化用于低 RDS(接通)和高电流能力。该器件特别适用于需要性能和坚固性的低频应用。

经优化,可从分销合作伙伴获得最广泛的可用性

产品符合 JEDEC 标准

工业标准表面安装封装

硅优化用于低于 100 kHz 的切换应用

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。