Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=-30 V, -9.2 A, SO-8, 8引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 257-9330
- 制造商零件编号:
- IRF9358TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- IRF9358TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | -9.2A | |
| 最大漏源电压 Vd | -30V | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 23.8mΩ | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 19nC | |
| 最大功耗 Pd | 2W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | -1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id -9.2A | ||
最大漏源电压 Vd -30V | ||
包装类型 SO-8 | ||
系列 HEXFET | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 23.8mΩ | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 19nC | ||
最大功耗 Pd 2W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf -1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IRF 系列是 -30V 双 p 通道 HEXFET 电源 mosfet,采用 SO 8 封装。
经优化,可从分销合作伙伴获得最广泛的可用性
优化用于 4.5V 门驱动电压(称为逻辑电平)
可在 2.5V 门驱动电压下驱动(称为超级逻辑电平)
在高侧配置中减少设计复杂性
更容易接口到微控制器