Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=150 V, 171 A, TO-247, 表面安装, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 258-0630
- 制造商零件编号:
- AUIRFP4568-E
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-0630
- 制造商零件编号:
- AUIRFP4568-E
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 171A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 15mΩ | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 171A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 15mΩ | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 汽车级专为汽车应用而设计,此 HEXFET 功率 MOSFET 利用最新的处理技术,以实现每硅区域极低的接通电阻。此设计的其他功能包括 175°C 接点工作温度、快速切换速度和改进的重复雪崩额定值。这些功能结合在一起,使此设计成为一种非常高效可靠的设备,适用于汽车应用和其他各种应用。
高级平面技术
超低接通电阻
动态 dv/dt 额定值
175°C 工作温度
快速切换
重复雪崩,允许高达 Tjmax