Infineon N沟道MOS管, Vds=60 V, 306 A, TSON-8-3, 贴片安装, OptiMOS™系列
- RS 库存编号:
- 258-0679
- 制造商零件编号:
- BSC012N06NSATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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| 100 - 249 | RMB18.44 |
| 250 - 499 | RMB17.16 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-0679
- 制造商零件编号:
- BSC012N06NSATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 306 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 系列 | OptiMOS™ | |
| 封装类型 | TSON-8-3 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 306 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
系列 OptiMOS™ | ||
封装类型 TSON-8-3 | ||
安装类型 贴片 | ||
Infineon OptiMOS MOSFET 采用 SuperSO8 封装,可扩展 OptiMOS 3 和 5 产品组合,并实现更高的功率密度以及更高的坚固性,以满足降低系统成本和提高性能的需求。低反向恢复电荷通过提供显著减少电压过冲,从而提高系统可靠性,从而最大程度地减少对减震器电路的需求,从而减少工程成本和精力。
低满载温度
减少并行
减少过冲
增加系统功率密度
尺寸更小
减少并行
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