制造商编号

Infineon MOSFET, Vds=1200 V, Id=150 A, AG-EASY1BS-1

RS 库存编号:: 258-0847
制造商零件编号:: FF08MR12W1MA1B11ABPSA1
制造商:: Infineon

Infineon MOSFET, Vds=1200 V, Id=150 A, AG-EASY1BS-1

小计（1 件）*

RMB865.35

(不含税)

RMB977.85

另外 26 件在 2026年9月14日发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位
1 +	RMB865.35

* 参考价格

RS 库存编号:: 258-0847
制造商零件编号:: FF08MR12W1MA1B11ABPSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	150A
	最大漏源电压 Vd	1200V
	包装类型	AG-EASY1BS-1
	最大漏源电阻 Rd	9.8mΩ
	正向电压 Vf	5.95V
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 150A
	最大漏源电压 Vd 1200V
	包装类型 AG-EASY1BS-1
	最大漏源电阻 Rd 9.8mΩ
	正向电压 Vf 5.95V
	标准/认证 No
	汽车标准否

Datasheet - FF08MR12W1MA1B11ABPSA1

Infineon 汽车 CoolSiCTM EasyPACKTM1B 是半桥式模块,将 Infineon 坚固的碳化硅技术的优点与用于混合和电动车辆的非常紧凑和灵活的封装相结合。该电源模块实现了新型 CoolSiCTM 汽车 MOSFET 1200V Gen1,经优化用于直流/直流转换器和辅助变频器等高电压应用。该芯片组提供基准电流密度、高块电压和减少切换损耗,这允许紧凑型设计并有助于提高系统效率,以及在恶劣环境条件下实现可靠的操作。

本质二极管,带低反向恢复

低浪涌电感 5nH

阻塞电压 1200V

低切换损耗

集成 NTC 温度传感器

Infineon MOSFET, Vds=1200 V, Id=150 A, AG-EASY1BS-1

相关链接