制造商编号

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=120 V, Id=100 A, TO-263, iPB系列

RS 库存编号:: 258-3796
制造商零件编号:: IPB100N12S305ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=120 V, Id=100 A, TO-263, iPB系列

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单位	每单位
1 - 9	RMB50.03
10 - 99	RMB44.07
100 - 249	RMB43.19
250 - 499	RMB42.32
500 +	RMB41.45

* 参考价格

RS 库存编号:: 258-3796
制造商零件编号:: IPB100N12S305ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	100A
	最大漏源电压 Vd	120V
	包装类型	TO-263
	系列	iPB
	安装类型	表面
	最大漏源电阻 Rd	4.8mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	139nC
	最大功耗 Pd	300W
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	1V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 100A
	最大漏源电压 Vd 120V
	包装类型 TO-263
	系列 iPB
	安装类型表面
	最大漏源电阻 Rd 4.8mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 139nC
	最大功耗 Pd 300W
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 1V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - IPB100N12S305ATMA1

Infineon OptiMOS-T 功率晶体管是 N 通道正常电平增强模式。工作温度为 175°C。

AEC 认证

MSL1 高达 260°C 峰值回流

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