制造商编号

Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=-30 V, Id=-80 A, 3针, PG-TO-252, IPD系列

RS 库存编号:: 258-3864
制造商零件编号:: IPD80P03P4L07ATMA2
制造商:: Infineon

Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=-30 V, Id=-80 A, 3针, PG-TO-252, IPD系列

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RS 库存编号:: 258-3864
制造商零件编号:: IPD80P03P4L07ATMA2
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	P型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	-80A
	最大漏源电压 Vd	-30V
	系列	IPD
	包装类型	PG-TO-252
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	6.8mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	88W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	63nC
	正向电压 Vf	-1.3V
	最大栅源电压 Vgs	-0.31V
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	DIN IEC 68-1, RoHS
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 P型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id -80A
	最大漏源电压 Vd -30V
	系列 IPD
	包装类型 PG-TO-252
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 6.8mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 88W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 63nC
	正向电压 Vf -1.3V
	最大栅源电压 Vgs -0.31V
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 DIN IEC 68-1, RoHS
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - IPD80P03P4L07ATMA2

Infineon OptiMOS-P2 功率晶体管具有最低的切换和传导功率损耗,可实现最高热效率。坚固的封装,具有卓越的质量和可靠性。

无需充电泵,用于高侧驱动

简单的接口驱动电路

最高电流容量

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