Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=193 A, 3针, TO-220, IPP系列

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RS 库存编号:
260-1057
制造商零件编号:
IPP015N04NF2SAKMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

193A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

TO-220

系列

IPP

安装类型

表面安装

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

1.5mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

860mV

最大功耗 Pd

188W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

106nC

最高工作温度

175°C

高度

4.75mm

长度

15.8mm

标准/认证

IEC 61249-2-21, RoHS

宽度

10.67mm

汽车标准

否

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