制造商编号

Infineon N型沟道消耗型 MOSFET, Vds=600 V, 0.12 A, PG-SOT223, 4引脚, BSP135H6906XTSA1, BSP系列

RS 库存编号:: 260-5075
Distrelec 货号:: 304-41-649
制造商零件编号:: BSP135H6906XTSA1
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道消耗型 MOSFET, Vds=600 V, 0.12 A, PG-SOT223, 4引脚, BSP135H6906XTSA1, BSP系列

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RS 库存编号:: 260-5075
Distrelec 货号:: 304-41-649
制造商零件编号:: BSP135H6906XTSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	0.12A
	最大漏源电压 Vd	600V
	系列	BSP
	包装类型	PG-SOT223
	引脚数目	4
	最大漏源电阻 Rd	60mΩ
	通道模式	消耗
	正向电压 Vf	1.2V
	标准/认证	No
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 0.12A
	最大漏源电压 Vd 600V
	系列 BSP
	包装类型 PG-SOT223
	引脚数目 4
	最大漏源电阻 Rd 60mΩ
	通道模式消耗
	正向电压 Vf 1.2V
	标准/认证 No
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - BSP135H6906XTSA1

Infineon N 通道 MOSFET 晶体管在耗尽模式下工作。其最大功耗为 1.8 W。此 MOSFET 晶体管的最低工作温度为 -55 °C,最高工作温度为 150 °C。

dv 或 dt 额定值

在卷上提供 V GS(th) 指示灯

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