Infineon N型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=40 V, 0.12 A, SOT-223, 表面安装, 3引脚, BSP149H6906XTSA1, BSP系列
- RS 库存编号:
- 250-0532
- 制造商零件编号:
- BSP149H6906XTSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB13.355 | RMB26.71 |
| 10 - 98 | RMB12.69 | RMB25.38 |
| 100 - 248 | RMB12.06 | RMB24.12 |
| 250 - 498 | RMB11.455 | RMB22.91 |
| 500 + | RMB10.885 | RMB21.77 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 250-0532
- 制造商零件编号:
- BSP149H6906XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 0.12A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | BSP | |
| 包装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.4mΩ | |
| 通道模式 | 消耗 | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 0.12A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 BSP | ||
包装类型 SOT-223 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.4mΩ | ||
通道模式 消耗 | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon 使 N 通道衰减模式小信号 MOSFET 晶体管广泛用于高切换应用。它具有雪崩等级和无卤。它是 dv/dt 等级，卷轴上有 VGS（th）指示器。VDS 为200 V，RDS（接通）最大值为 3.5 Ω，IDSS最小值为 0.14 A。
无铅镀层且无卤
采用 SOT233封装