Infineon N沟道MOSFET, Id=30 A, PG-TO-252, IPD系列
- RS 库存编号:
- 260-5128
- 制造商零件编号:
- IPD30N06S2L23ATMA3
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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- RS 库存编号:
- 260-5128
- 制造商零件编号:
- IPD30N06S2L23ATMA3
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 30A | |
| 包装类型 | PG-TO-252 | |
| 系列 | IPD | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 通道模式 | N | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 30A | ||
包装类型 PG-TO-252 | ||
系列 IPD | ||
安装类型 表面 | ||
通道模式 N | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon N 通道 MOSFET 晶体管在增强模式下工作。其最大功耗为 100 W。此 MOSFET 晶体管的工作温度范围为 -55 °C 至 175 °C。
N 通道增强模式
超低 Rds(on)
100% 雪崩测试
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