Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 270 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, IRFP3006PBF, HEXFET系列

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RS 库存编号:
260-5869
Distrelec 货号:
302-84-049
制造商零件编号:
IRFP3006PBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

270A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TO-247

系列

HEXFET

安装类型

通孔

引脚数目

3

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

长度

15.87mm

高度

20.7mm

汽车标准

Distrelec Product Id

30284049

Infineon HEXFET 系列 MOSFET,270A 最大连续漏极电流,60V 最大漏极源电压 - IRFP3006PBF


这种高性能 MOSFET 是现代电子应用的关键元件,在设计时考虑到了提高效率和可靠性。这款 TO-247 封装的尺寸为长 15.87 毫米、宽 5.31 毫米、高 20.7 毫米。它能在各种环境下有效运行,并在电源管理情况下发挥重要作用。

特点和优势


• 额定连续漏极电流高达 270A,可满足苛刻的要求

• 漏源电压为 60V,用途广泛

• 最大功率耗散为 375 瓦,支持强劲性能

• 增强雪崩能力,提供更好的系统保护

• 通孔安装确保安装牢固可靠

应用


• 用于高效同步整流系统

• 是不间断电源的理想选择,可确保可靠性

• 适用于高速电源开关

• 适用于硬开关和高频电路

在连续运行条件下的热性能预期如何?


它的最高工作温度为 +175°C ,能够可靠地处理高热负荷,而从结点到外壳之间的热阻可支持高效散热。

栅极阈值电压对电路性能有何影响?


它的最大栅极阈值电压为 4V,可确保控制信号有效激活 MOSFET,与低电压控制电路协同工作。

低 Rds(on) 对电路效率有何影响?


2.5mΩ 的低导通电阻大大降低了能量损耗,提高了整体电路效率,尤其是在功率密集型应用中,从而降低了发热量,提高了性能的可持续性。

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。