Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=97 A, 3针, TO-220, HEXFET系列

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 包，共 5 件）*

RMB64.33

(不含税)

RMB72.70

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 另外 2,415 件在 2026年9月28日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位
每单位
每包*
5 - 5RMB12.866RMB64.33
10 - 15RMB11.584RMB57.92
20 - 35RMB10.422RMB52.11
40 - 55RMB9.382RMB46.91
60 +RMB8.438RMB42.19

* 参考价格

包装方式：
RS 库存编号:
260-5934
制造商零件编号:
IRF100B202
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

97A

最大漏源电压 Vd

100V

系列

HEXFET

包装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

通道模式

增强

标准/认证

No

汽车标准

否

Infineon StrongIRFET 功率 MOSFET 系列经优化用于低 RDS(接通)和高电流能力。该器件特别适用于需要性能和坚固性的低频应用。全面的产品组合涵盖广泛的应用,包括直流电动机、电池管理系统、变频器和直流-直流转换器。

工业标准通孔电源封装

高额定电流

与之前的硅一代相比,主体二极管更柔软

提供广泛的产品组合

相关链接