STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=800 V, Id=10 A, 带装和卷装
- RS 库存编号:
- 261-5044
- 制造商零件编号:
- STD80N450K6
- 制造商:
- STMicroelectronics
暂时无法供应
我们不知道此物品是否会再来货，RS 不再对该产品备货。
- RS 库存编号:
- 261-5044
- 制造商零件编号:
- STD80N450K6
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 10A | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 包装类型 | 带装和卷装 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 380mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 17.3nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 10A | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
包装类型 带装和卷装 | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 380mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 30V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 17.3nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics 高电压 N 通道功率 MOSFET 采用基于创新专有垂直结构的 MDmesh K5 技术设计。结果显著降低了接通电阻和超低栅极电荷,适用于需要出色的功率密度和高效率的应用。
全球最佳 RDS(on) x 区域
全球最佳 FOM(卓越数字)
超低门充电
100% 雪崩测试
齐纳保护
相关链接
- STMicroelectronics N沟道 增强型 MOSFET, Vds=800 V, 10 A, 带装和卷装, 表面安装, STD80N450K6
- STMicroelectronics N沟道 增强型 MOSFET, Vds=800 V, 10 A, 带装和卷装, 表面安装, 7引脚
- STMicroelectronics N沟道 增强型 MOSFET, Vds=800 V, 10 A, 带装和卷装, 表面安装, 7引脚, SCT040HU65G3AG
- STMicroelectronics N沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 7 A, 带装和卷装, 表面安装, 3引脚
- STMicroelectronics N沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 30 A, 带装和卷装, 表面安装, 7引脚
- STMicroelectronics N沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 7 A, 带装和卷装, 表面安装, 3引脚, STH12N120K5-2AG
- STMicroelectronics N沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 30 A, 带装和卷装, 表面安装, 7引脚, SCT055HU65G3AG
- STMicroelectronics, 带装和卷装封装