制造商编号

STMicroelectronics N型沟道增强型 MOSFET, Vds=800 V, 10 A, 带装和卷装, 表面安装, STD80N450K6

RS 库存编号:: 261-5045
制造商零件编号:: STD80N450K6
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N型沟道增强型 MOSFET, Vds=800 V, 10 A, 带装和卷装, 表面安装, STD80N450K6

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计（1 件）*

RMB30.42

(不含税)

RMB34.37

最后的 RS 库存

最终 218 个，准备发货

单位	每单位
1 - 9	RMB30.42
10 - 99	RMB28.94
100 - 249	RMB27.44
250 - 499	RMB26.07
500 +	RMB24.78

* 参考价格

RS 库存编号:: 261-5045
制造商零件编号:: STD80N450K6
制造商:: STMicroelectronics

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	10A
	最大漏源电压 Vd	800V
	包装类型	带装和卷装
	安装类型	表面
	最大漏源电阻 Rd	380mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	17.3nC
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 10A
	最大漏源电压 Vd 800V
	包装类型带装和卷装
	安装类型表面
	最大漏源电阻 Rd 380mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 17.3nC
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 No
	汽车标准否

Datasheet - STD80N450K6

COO (Country of Origin):: CN

STMicroelectronics 高电压 N 通道功率 MOSFET 采用基于创新专有垂直结构的 MDmesh K5 技术设计。结果显著降低了接通电阻和超低栅极电荷,适用于需要出色的功率密度和高效率的应用。

全球最佳 RDS(on) x 区域

全球最佳 FOM(卓越数字)

超低门充电

100% 雪崩测试

STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=800 V, 10 A, 带装和卷装, 表面安装, STD80N450K6

批量定价选项

相关链接

STMicroelectronics N型沟道增强型 MOSFET, Vds=800 V, 10 A, 带装和卷装, 表面安装, STD80N450K6