STMicroelectronics N型沟道 MOSFET, Vds=650 V, 32 A, ACEPACK SMIT, 表面安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 261-5477
- 制造商零件编号:
- SH32N65DM6AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 261-5477
- 制造商零件编号:
- SH32N65DM6AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 32A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | ACEPACK SMIT | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 97mΩ | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 47nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 32A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 ACEPACK SMIT | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 97mΩ | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 47nC | ||
最大栅源电压 Vgs 25 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
STMicroelectronics 汽车等级 N 通道功率 MOSFET 组合两个 MOSFET,采用半桥式拓扑。ACEPACK SMIT 是一款非常紧凑且坚固的电源模块,采用表面安装封装,易于组装。DBC 基片、ACEPACK SMIT 封装提供低热阻,配合一个绝缘顶侧热垫。封装的高设计灵活性允许多种配置,包括相位支脚、升压和单开关,通过内部电源开关的不同组合。
半桥式电源模块
650 V 阻塞电压
快速恢复主体二极管
非常低的切换能量
低封装电感