制造商编号

STMicroelectronics N沟道MOSFET, Vds=650 V, Id=64 A, 3针, ACEPACK SMIT

RS 库存编号:: 261-5481
制造商零件编号:: SH68N65DM6AG
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N沟道MOSFET, Vds=650 V, Id=64 A, 3针, ACEPACK SMIT

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RS 库存编号:: 261-5481
制造商零件编号:: SH68N65DM6AG
制造商:: STMicroelectronics

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	64A
	最大漏源电压 Vd	650V
	包装类型	ACEPACK SMIT
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	41mΩ
	最大栅源电压 Vgs	25V
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	116nC
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 64A
	最大漏源电压 Vd 650V
	包装类型 ACEPACK SMIT
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 41mΩ
	最大栅源电压 Vgs 25V
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 116nC
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 No
	汽车标准否

Datasheet - SH68N65DM6AG

COO (Country of Origin):: PH

STMicroelectronics 组合两个 MOSFET,采用半桥式拓扑。ACEPACK SMIT 是一款非常紧凑且坚固的电源模块,采用表面安装封装,易于组装。DBC 基片、ACEPACK SMIT 封装提供低热阻,配合一个绝缘顶侧热垫。封装的高设计灵活性允许多种配置,包括相位支脚、升压和单开关,通过内部电源开关的不同组合。

半桥式电源模块

650 V 阻塞电压

快速恢复主体二极管

非常低的切换能量

低封装电感

STMicroelectronics N沟道MOSFET, Vds=650 V, Id=64 A, 3针, ACEPACK SMIT

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