Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=75 V, Id=75 A, 3针, TO-220, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 262-6726
- 制造商零件编号:
- IRF2807ZPBF
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
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| 50 - 95 | RMB14.82 | RMB74.10 |
| 100 - 245 | RMB13.338 | RMB66.69 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 262-6726
- 制造商零件编号:
- IRF2807ZPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 75A | |
| 最大漏源电压 Vd | 75V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 75A | ||
最大漏源电压 Vd 75V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 功率 MOSFET 利用最新的处理技术,以实现每硅区域极低的电阻。此设计具有附加功能,如 175°C 接点工作温度、快速切换速度和改进的重复雪崩额定值。
超低接通电阻
重复雪崩允许高达 Tjmax
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