STMicroelectronics 增强型MOSFET, Vds=750 V, Id=15 A, 4针, 卷装, G-HEMT系列
- RS 库存编号:
- 265-1034
- 制造商零件编号:
- SGT120R65AL
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- 265-1034
- 制造商零件编号:
- SGT120R65AL
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 15A | |
| 最大漏源电压 Vd | 750V | |
| 包装类型 | 卷装 | |
| 系列 | G-HEMT | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 15A | ||
最大漏源电压 Vd 750V | ||
包装类型 卷装 | ||
系列 G-HEMT | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics E 模式 PowerGaN 晶体管与牢固的包装技术相结合。产生的 G-HEMT 设备提供极低的传导损耗、高电流能力和超快切换操作,可实现高功率密度和无与伦比的效率性能。
增强模式通常关闭晶体管
非常高的切换速度
高功率管理能力
极低电容
Kelvin 源垫,用于最佳门驱动
零反向恢复电荷
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