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Vishay P型沟道增强型MOSFET, 4个元件/芯片, Vds=60 V, Id=8 A, 8针, SO-8, SQ4917CEY系列

Name: Vishay P型沟道增强型MOSFET, 4个元件/芯片, Vds=60 V, Id=8 A, 8针, SO-8, SQ4917CEY系列
Brand: Vishay
SKU: 268-8361
Availability: InStock

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	P型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	8A
	最大漏源电压 Vd	60V
	系列	SQ4917CEY
	包装类型	SO-8
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	60V
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	0V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	100 percent Rg and UIS tested, AEC-Q101, RoHS
	每片芯片元件数目	4
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 P型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 8A
	最大漏源电压 Vd 60V
	系列 SQ4917CEY
	包装类型 SO-8
	安装类型表面
	引脚数目 8
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 60V
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 0V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 100 percent Rg and UIS tested, AEC-Q101, RoHS
	每片芯片元件数目 4
	汽车标准否

Vishay 汽车双 P 通道 TrenchFET 功率 MOSFET 是无铅和卤素设备,带单配置 MOSFET,且独立于工作温度。

AEC Q101 认证

符合 ROHS 标准

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