制造商编号

Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 100 A, PG-TO220-3, 表面安装, 3引脚, OptiMOSa5系列

RS 库存编号:: 273-3018
制造商零件编号:: IPP039N10N5AKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 100 A, PG-TO220-3, 表面安装, 3引脚, OptiMOSa5系列

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RS 库存编号:: 273-3018
制造商零件编号:: IPP039N10N5AKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	100A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	PG-TO220-3
	系列	OptiMOSa5
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	3.9mΩ
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	1.2V
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	188W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	76nC
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 100A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 PG-TO220-3
	系列 OptiMOSa5
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 3.9mΩ
	通道模式增强
	正向电压 Vf 1.2V
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 188W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 76nC
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1
	汽车标准否

Datasheet - IPP039N10N5AKSA1

Infineon 功率 MOSFET 采用 TO-220 封装,特别适用于高频切换和同步整流应用。

最高系统效率

减少切换和导电损耗

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