Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 142 A, PG-TSDSON-8FL, 表面安装, 8引脚, OptiMOS系列

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273-5246
制造商零件编号:
BSZ0901NSIATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

142A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

PG-TSDSON-8FL

系列

OptiMOS

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

2.1mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

41nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

69W

最高工作温度

150°C

标准/认证

DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS

汽车标准

Infineon MOSFET 是 N 通道功率 MOSFET。此 MOSFET 具有集成单片式肖特基像二极管。它符合 JEDEC 标准,适用于目标应用,且经过 100% 风暴测试。优化 SyncFET,用于高性能降压转换器。

无卤素

符合 RoHS 标准

无铅引线镀层

非常低的接通电阻

卓越的耐热性