Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 31A, SC-70, 贴片安装, 7引脚
- RS 库存编号:
- 279-9902
- 制造商零件编号:
- SIA4446DJ-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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|---|---|---|
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| 100 - 240 | RMB3.066 | RMB30.66 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 279-9902
- 制造商零件编号:
- SIA4446DJ-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 31A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 封装类型 | SC-70 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 晶体管材料 | 硅 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 31A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
封装类型 SC-70 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 7 | ||
通道模式 增强 | ||
晶体管材料 硅 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
Vishay MOSFET 是一种 N 沟道 MOSFET，其中的晶体管由硅制成。
TrenchFET 功率 MOSFET
完全无铅 (Pb) 的器件
极低 RDS x Qg 品质因数
100% 通过 Rg 和 UIS 测试
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极低 RDS x Qg 品质因数
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