Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 19 A, PowerPAK 8 x 8, 表面安装, 4引脚, SIHH150N60E-T1-GE3, SIHH系列
- RS 库存编号:
- 279-9913
- 制造商零件编号:
- SIHH150N60E-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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RMB69,999.00
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 + | RMB23.333 | RMB69,999.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 279-9913
- 制造商零件编号:
- SIHH150N60E-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 19A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | PowerPAK 8 x 8 | |
| 系列 | SIHH | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.158Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 156W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 36nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 8mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 19A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 PowerPAK 8 x 8 | ||
系列 SIHH | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.158Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 156W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 36nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 8mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay SIHH系列MOSFET,600 V漏源电压,19 A连续漏电流 - SIHH150N60E-T1-GE3
这款 MOSFET 是一款高电压 N 通道晶体管,专为工业和电子系统中的开关和电源管理而设计。它可在宽热范围内工作,并采用表面安装封装,因此适用于需要控制高电压开关的紧凑型电源组件。
特性和优点：
• 600 V 漏源额定值可实现高电压开关应用 • 19 A 连续漏电流支持大负载电流 • 0.158Ω Rds(on)可减少工作电流时的传导损耗 • 36nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关能量 • 156W 最大功耗可管理设计中的热负载 • 30 V 栅极阈值可适应标准栅极驱动电压
应用
• 适用于高压电源和逆变器 • 适用于工业电机驱动开关级 • 用于自动化系统中的开关模式电源转换 • 可用于测试设备中的高压负载切换
它在运行过程中能承受哪些极端温度?
它的额定工作温度低至-55°C和高达150°C,可在恶劣的热环境中使用。
该设备如何安装在紧凑型电源模块中?
它采用PowerPAK 8x8表面贴装封装,带四个引脚,适用于薄型PCB组装。
应遵守哪些栅极驱动限制?
栅极-源电压不得超过 30 V,以避免超过栅极限制。
其封装对热处理有何影响?
PowerPAK 8x8表面封装与156W的额定耗散功率相结合,与合适的PCB热设计配合使用时,可实现高效的热传递。