Vishay P型沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=34.4 A, 8针, 1212-8, SISH系列

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RS 库存编号:
279-9983
制造商零件编号:
SISH107DN-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

34.4A

最大漏源电压 Vd

30V

系列

SISH

包装类型

1212-8

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.014Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

41nC

最大功耗 Pd

26.5W

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

150°C

长度

3.3mm

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

Vishay MOSFET 是 P 通道 MOSFET，其中的晶体管由称为硅的材料制成。

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