Vishay N沟道增强型功率MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=30 V, Id=7.5 A, 8针, SOIC, TrenchFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
710-3327
制造商零件编号:
SI4214DDY-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

功率MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

7.5A

最大漏源电压 Vd

30V

系列

TrenchFET

包装类型

SOIC

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

19.5mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

14.5nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

最大功耗 Pd

2W

晶体管配置

隔离式

最高工作温度

+150°C

长度

5mm

宽度

4mm

标准/认证

No

高度

1.5mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

双 N 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


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