Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 110 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, SUM110P06-07L-E3

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710-5060
制造商零件编号:
SUM110P06-07L-E3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

110A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TO-263

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.0088Ω

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

375W

正向电压 Vf

1.5V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

230nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

长度

15.875mm

宽度

10.414 mm

高度

4.83mm

标准/认证

No

汽车标准

特点

• TrenchFET ® 功率 MOSFET

•具有低热阻的封装

P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor