STMicroelectronics N沟道增强型射频MOSFET, Vds=40 V, Id=2.5 A, 14针, PowerFLAT, PD55003L-E系列

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RS 库存编号:
714-6771
制造商零件编号:
PD55003L-E
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N

产品类型

射频MOSFET

工作频率

500MHz

最大连续漏极电流 Id

2.5A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

PD55003L-E

包装类型

PowerFLAT

安装类型

表面

引脚数目

14

通道模式

增强

最低工作温度

-65°C

最高工作温度

+150°C

晶体管配置

单

标准/认证

No

长度

5mm

高度

0.88mm

宽度

5mm

汽车标准

否

典型功率增益

19dB

射频 MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


射频晶体管为 LDMOS，适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。

MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


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