STMicroelectronics 单 N型沟道 增强型 射频 MOSFET, Vds=40 V, 2.5 A, PowerFLAT, 表面安装, 14引脚, PD55003L-E系列
- RS 库存编号:
- 920-9026
- 制造商零件编号:
- PD55003L-E
- 制造商:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
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- RS 库存编号:
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- 制造商零件编号:
- PD55003L-E
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
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产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | 射频 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 2.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | PowerFLAT | |
| 系列 | PD55003L-E | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 14 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -65°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 高度 | 0.88mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 5mm | |
| 典型功率增益 | 19dB | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 射频 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 2.5A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 PowerFLAT | ||
系列 PD55003L-E | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 14 | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -65°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 单 | ||
高度 0.88mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 5mm | ||
典型功率增益 19dB | ||
汽车标准 否 | ||
射频 MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
射频晶体管为 LDMOS，适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。
MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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