Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=300 mA, 3针, SOT-23, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 752-7773
- Distrelec 货号:
- 304-45-298
- 制造商零件编号:
- 2N7002H6327XTSA2
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 752-7773
- Distrelec 货号:
- 304-45-298
- 制造商零件编号:
- 2N7002H6327XTSA2
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 300mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 0.4nC | |
| 最大功耗 Pd | 500mW | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | -20V, +20V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 宽度 | 1.3mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 300mA | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 SOT-23 | ||
系列 OptiMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 4Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 0.4nC | ||
最大功耗 Pd 500mW | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs -20V, +20V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 2.9mm | ||
宽度 1.3mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 1mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon OptiMOS 系列 MOSFET，60V 最大漏源电压，4Ω 最大漏源电阻 - 2N7002H6327XTSA2
这款小信号 N 通道增强型 MOSFET 专为表面安装应用中的高速开关而设计。它可在宽环境范围内运行，并为需要受控传导和快速栅极响应的低电流电路提供紧凑型开关元件。
特性和优点：
• 60V 漏源额定值可实现更高的电压开关
• 4Ω 最大 Rds(on) 可在低电流下减少传导损耗
• 300mA 连续漏极电流支持小信号负载
• 0.4nC 典型栅极电荷可实现快速开关转换
• 20V 栅源容差支持灵活的驱动电压
• 500mW 功耗可在紧凑布局中管理热负载
• 4Ω 最大 Rds(on) 可在低电流下减少传导损耗
• 300mA 连续漏极电流支持小信号负载
• 0.4nC 典型栅极电荷可实现快速开关转换
• 20V 栅源容差支持灵活的驱动电压
• 500mW 功耗可在紧凑布局中管理热负载
应用
• 适用于控制单元中的电平转换和信号开关
• 非常适用于电池供电传感器接口电路
• 与小型继电器和晶体管替换开关配合使用
• 可用于消费电子设备的保护电路
• 适用于电路板上的紧凑型电源管理模块
• 非常适用于电池供电传感器接口电路
• 与小型继电器和晶体管替换开关配合使用
• 可用于消费电子设备的保护电路
• 适用于电路板上的紧凑型电源管理模块
在电路板布局规划中，应预期采用哪种封装类型？
它采用 SOT-23 表面安装封装，便于放置在密集的电路板上。
温度对运行能力有何影响？
其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于恶劣环境和高温环境。
哪些机械尺寸对组件间距至关重要？
该组件的尺寸为 2.9 x 1.3 x 1mm，在计算间隙和相邻组件放置时非常有用。
提供多少个用于示意图和路由的端子？
该设备具有三个引脚，与单通道 MOSFET 拓扑结构相一致，可实现直接路由。
相关链接
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