Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=3.2 A, 4针, SOT-89, OptiMOS 3系列

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RS 库存编号:
110-7170
Distrelec 货号:
304-36-979
制造商零件编号:
BSS606NH6327XTSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

3.2A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

SOT-89

系列

OptiMOS 3

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

90mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

3.7nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

1W

正向电压 Vf

1.1V

最高工作温度

150°C

宽度

2.5mm

长度

4.5mm

标准/认证

No

高度

1.5mm

汽车标准

AEC-Q101

Infineon OptiMOS 3系列 MOSFET，60V 最大漏源电压，3.2A 最大连续漏极电流 - BSS606NH6327XTSA1


这款N沟道MOSFET是一种表面贴装半导体器件，专为在紧凑型电子系统中控制和切换DC电源而设计。它可在宽温度范围内运行，适用于严苛环境，用于需要中压开关且具备中等持续电流容量的应用。该器件采用专为PCB安装式功率级应用设计的小型SOT-89封装。

特性和优点：


• 60V漏源耐受电压，可实现安全的中等电压切换
• 90mΩ 低导通电阻，可降低电源路径中的导通损耗
• 3.2A连续漏极电流支持中等负载驱动
• 1.1V正向电压可最大限度降低二极管导通时的压降
• 典型栅极电荷为3.7nC，可实现高效开关控制
• 20V栅极耐压，支持灵活的栅极驱动电压

应用


• 适用于汽车辅助电源电路
• 适用于DC/DC转换器开关级应用
• 用于电机控制栅极驱动器接口
• 可用于远程信息模块的负载切换
• 适用于嵌入式系统的配电

它采用什么封装尺寸和外形规格？


该元件采用紧凑型SOT-89表面贴装封装，尺寸为4.5 x 2.5 x 1.5mm，适用于空间受限的PCB布局。

它如何应对极端热环境？


它的额定工作温度范围为 -55°C 至 150°C，可在高温和寒冷气候条件下运行。

设计人员应预期何种引脚配置和安装方式？


该部件有四个引脚，适用于表面贴装，简化了在自动化组装流程中的布置。

它采用哪种沟道导通模式？这对于电路行为有何影响？


它采用N沟道增强型结构，需要正栅极驱动电压来实现导通，适用于典型低侧开关应用。

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