Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=150 mA, 3针, SC-70, SIPMOS系列
- RS 库存编号:
- 145-8835
- 制造商零件编号:
- BSS84PWH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 145-8835
- 制造商零件编号:
- BSS84PWH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 150mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | SIPMOS | |
| 包装类型 | SC-70 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 25Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 1nC | |
| 最大功耗 Pd | 300mW | |
| 正向电压 Vf | -1.12V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | -20V, +20V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 2mm | |
| 宽度 | 1.25mm | |
| 高度 | 800μm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 150mA | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 SIPMOS | ||
包装类型 SC-70 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 25Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 1nC | ||
最大功耗 Pd 300mW | ||
正向电压 Vf -1.12V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs -20V, +20V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 2mm | ||
宽度 1.25mm | ||
高度 800μm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon SIPMOS系列 MOSFET，最大漏源电压60V，最大连续漏极电流 150mA - BSS84PWH6327XTSA1
该MOSFET是一款P‑沟道增强型器件，专为汽车和工业领域的紧凑型表面‑贴装应用而设计。它可在中等电压下控制和切换小电流，并在适合严苛环境的宽温度范围内工作。
特性和优点：
• 60V漏极额定值，可实现中等‑电压开关能力
• 150mA连续漏极电流，支持低‑功率电路
• 在轻‑载开关中，导通电阻最大为25Ω，可降低损耗
• 300mW功耗支持持续的热处理
• 20V栅极耐压支持灵活的栅极‑驱动电平
• 典型1nC栅极电荷, 可实现快速、低能耗‑开关
• 150mA连续漏极电流，支持低‑功率电路
• 在轻‑载开关中，导通电阻最大为25Ω，可降低损耗
• 300mW功耗支持持续的热处理
• 20V栅极耐压支持灵活的栅极‑驱动电平
• 典型1nC栅极电荷, 可实现快速、低能耗‑开关
应用
• 适用于汽车控制模块的负载切换
• 适用于传感器接口电路的电平‑转换
• 与电池管理配合使用，用于低‑电流路径
• 可用于车载远程信息处理装置的保护切换
• 适用于紧凑型消费电子产品的电源路径
• 适用于传感器接口电路的电平‑转换
• 与电池管理配合使用，用于低‑电流路径
• 可用于车载远程信息处理装置的保护切换
• 适用于紧凑型消费电子产品的电源路径
在部署的系统中，它能耐受的环境范围是多少？
它的工作温度范围为-55°C至150°C，覆盖极寒‑启动和高温‑引擎舱‑工况。
哪种封装适用于高‑密度 PCB 布局？
它采用SC‑70三‑引脚表面贴装封装，占位面积为1.25x2mm，适合紧凑的元件间距。
栅极电荷对驱动要求有何影响？
凭借典型1nC栅极电荷（Qg），标准低‑电流驱动器能够以极少的能耗快速对其进行开关切换。
它是否符合汽车可靠性标准？
它符合AEC‑Q101认证，适用于多种汽车电子子系统。
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