Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=300 V, 70 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

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包装方式:
RS 库存编号:
784-8947
制造商零件编号:
IRFP4868PBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

70 A

最大漏源电压

300 V

封装类型

TO-247AC

系列

HEXFET

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

32 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

5V

最小栅阈值电压

3V

最大功率耗散

517 W

晶体管配置

最大栅源电压

-20 V、+20 V

最高工作温度

+175 °C

每片芯片元件数目

1

晶体管材料

Si

典型栅极电荷@Vgs

180 nC @ 10 V

长度

15.87mm

宽度

5.31mm

高度

20.7mm

最低工作温度

-55 °C

COO (Country of Origin):
MX

电动机控制和交流-直流同步整流器 MOSFET,Infineon


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