Vishay N型沟道 增强型 TrenchFET 功率 MOSFET, Vds=60 V, 300 mA, SOT-23, 表面安装, 3引脚, 2N7002K-T1-GE3, 2N7002K系列

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制造商零件编号:
2N7002K-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

TrenchFET 功率 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

300mA

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

SOT-23

系列

2N7002K

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

0.4nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.3V

最大功耗 Pd

0.35W

最大栅源电压 Vgs

±20 V

最高工作温度

150°C

标准/认证

IEC 61249-2-21, JEDEC JS709A, RoHS

长度

3.04mm

高度

1.02mm

宽度

1.4 mm

汽车标准

N 通道 MOSFET,60V 至 90V,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor