制造商编号

Vishay P型, N型沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=40 V, Id=8 A, 8针, SOIC, TrenchFET系列

RS 库存编号:: 787-9238
制造商零件编号:: SI4554DY-T1-GE3
制造商:: Vishay

Vishay P型, N型沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=40 V, Id=8 A, 8针, SOIC, TrenchFET系列

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RS 库存编号:: 787-9238
制造商零件编号:: SI4554DY-T1-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	P型, N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	8A
	最大漏源电压 Vd	40V
	系列	TrenchFET
	包装类型	SOIC
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	34mΩ
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	13.3nC
	最大功耗 Pd	3.2W
	最低工作温度	-55°C
	晶体管配置	隔离式
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	No
	宽度	4mm
	高度	1.5mm
	长度	5mm
	每片芯片元件数目	2
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 P型, N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 8A
	最大漏源电压 Vd 40V
	系列 TrenchFET
	包装类型 SOIC
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 34mΩ
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 13.3nC
	最大功耗 Pd 3.2W
	最低工作温度 -55°C
	晶体管配置隔离式
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 No
	宽度 4mm
	高度 1.5mm
	长度 5mm
	每片芯片元件数目 2
	汽车标准否

双N/P通道MOSFET，Vishay Semiconductor

MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

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