Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=10.9 A, 8针, SOIC, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 165-2749
- 制造商零件编号:
- SI4128DY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- 制造商零件编号:
- SI4128DY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 10.9A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.03Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 5W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 3.8nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 4mm | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 标准/认证 | IEC 61249-2-21 | |
| 长度 | 5mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 10.9A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 TrenchFET | ||
包装类型 SOIC | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.03Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 5W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 3.8nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 4mm | ||
高度 1.5mm | ||
标准/认证 IEC 61249-2-21 | ||
长度 5mm | ||
汽车标准 否 | ||
N 通道 MOSFET，30V 至 50V，Vishay Semiconductor
MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
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