制造商编号

Vishay P型沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=4 A, 6针, SC-70, Si1441EDH系列

RS 库存编号:: 812-3079
制造商零件编号:: SI1441EDH-T1-GE3
制造商:: Vishay

Vishay P型沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=4 A, 6针, SC-70, Si1441EDH系列

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RS 库存编号:: 812-3079
制造商零件编号:: SI1441EDH-T1-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	P型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	4A
	最大漏源电压 Vd	20V
	包装类型	SC-70
	系列	Si1441EDH
	安装类型	表面
	引脚数目	6
	最大漏源电阻 Rd	100mΩ
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	-1.2V
	最大功耗 Pd	2.8W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	22nC
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	10V
	最高工作温度	150°C
	宽度	1.35mm
	长度	2.2mm
	标准/认证	No
	高度	1mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 P型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 4A
	最大漏源电压 Vd 20V
	包装类型 SC-70
	系列 Si1441EDH
	安装类型表面
	引脚数目 6
	最大漏源电阻 Rd 100mΩ
	通道模式增强
	正向电压 Vf -1.2V
	最大功耗 Pd 2.8W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 22nC
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 10V
	最高工作温度 150°C
	宽度 1.35mm
	长度 2.2mm
	标准/认证 No
	高度 1mm
	汽车标准否

COO (Country of Origin):: CN

P 通道 MOSFET，8V 至 20V，Vishay Semiconductor

MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

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