Vishay P型沟道增强型功率 MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=30 V, Id=2.3 A, 6针, TSOP, TrenchFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
812-3189
制造商零件编号:
SI3993CDV-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

功率MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

2.3A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

TSOP

系列

TrenchFET

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

188mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

5.2nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

1.4W

最大栅源电压 Vgs

20V

晶体管配置

隔离式

最高工作温度

150°C

高度

1mm

长度

3.1mm

宽度

1.7mm

标准/认证

No

每片芯片元件数目

2

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

Vishay TrenchFET系列功率MOSFET，30V漏源电压，2.3A连续漏极电流 - SI3993CDV-T1-GE3


该功率MOSFET是一款表面贴装P沟道晶体管，专为紧凑型电子组件的开关和负载管理功能而设计。它采用薄型 TSOP 封装，提供隔离式晶体管配置，适用于在30V电压环境中需要中等电流处理能力和受控栅极驱动的应用。

特性和优点：


• P通道增强模式可实现简单的高侧切换
• 峰值连续漏极电流2.3A，支持中等负载
• 导通电阻低至188mΩ，可降低导通损耗
• 典型栅极电荷为5.2nC，可实现快速栅极转换
• 最大功耗1.4W，可有效管理小型电路板的热负载
• 六针表面贴装封装，可实现紧凑的PCB布局

应用


• 适用于电池供电高侧开关电路
• 适用于DC负载断开和反向电流阻断
• 与消费设备的电源管理模块配合使用
• 可用于紧凑型元件的水平移位栅极控制

我应考虑哪些栅极驱动限制？


该器件可在栅极和源之间接受高达 ±20V 的电流，因此栅极驱动电路必须将 Vgs 保持在该范围内以防止栅极应力。

它在运行期间对极端温度的耐受性如何？


它的工作温度范围宽达-55°C至150°C，允许在温差剧烈的环境中使用。

该芯片包含多少个晶体管元件？封装引脚数是多少？


该芯片集成了两个元件，封装包含六个用于电路板连接的引脚。

最大漏源电压是多少？这对电路设计有何影响？


该MOSFET的漏源额定电压为30V，因此应在电源轨和瞬态条件均低于该阈值的情况下使用。

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