Vishay , 2 P型沟道隔离式增强型功率 MOSFET, Vds=30 V, 2.3 A, TSOP, 表面安装, 6引脚, TrenchFET系列, SI3993CDV-T1-GE3

RS 库存编号:: 812-3189
制造商零件编号:: SI3993CDV-T1-GE3
制造商:: Vishay

Vishay , 2 P型沟道隔离式增强型功率 MOSFET, Vds=30 V, 2.3 A, TSOP, 表面安装, 6引脚, TrenchFET系列, SI3993CDV-T1-GE3

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制造商零件编号:: SI3993CDV-T1-GE3
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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	P型
	产品类型	功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	2.3A
	最大漏源电压 Vd	30V
	包装类型	TSOP
	系列	TrenchFET
	安装类型	表面
	引脚数目	6
	最大漏源电阻 Rd	188mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	5.2nC
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最大功耗 Pd	1.4W
	晶体管配置	隔离式
	最高工作温度	150°C
	高度	1mm
	宽度	1.7mm
	长度	3.1mm
	标准/认证	No
	每片芯片元件数目	2
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 P型
	产品类型功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 2.3A
	最大漏源电压 Vd 30V
	包装类型 TSOP
	系列 TrenchFET
	安装类型表面
	引脚数目 6
	最大漏源电阻 Rd 188mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 5.2nC
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最大功耗 Pd 1.4W
	晶体管配置隔离式
	最高工作温度 150°C
	高度 1mm
	宽度 1.7mm
	长度 3.1mm
	标准/认证 No
	每片芯片元件数目 2
	汽车标准否

COO (Country of Origin):: CN

Vishay TrenchFET系列功率MOSFET,30 V最大漏源电压,2.3 A最大连续漏电流 - SI3993CDV-T1-GE3

此功率 MOSFET 是表面贴装 P 通道开关晶体管,设计用于紧凑型、低功率应用。它的工作电压范围很小,专为需要双元件隔离晶体管配置的高效开关任务而设计。该组件采用薄型 TSOP 封装,适用于电子控制系统中的板级集成。

特性和优点：

• 30 V 最大漏电压可实现安全的低电压切换
• 2.3 A 连续漏电流支持中等负载电流
• 188 mΩ 低 RDS(on) 可减少传导损耗
• 5.2nC 典型栅极电荷,支持快速栅极切换
• 1.4W 功耗,支持负载循环运行
• 隔离双元件设计可实现分路通道实施

应用

• 适用于自动化模块中的低压电机控制
• 特别适用于紧凑型电源中的电源开关
• 用于嵌入式控制系统的负载切换
• 可用于电池管理电路中的极性控制

运行期间可预期的热范围是多少?

该设备的额定工作温度范围为 -55°C 至 150°C,可在宽温度环境中使用。

该封装如何支持电路板组装?

TSOP表面贴装格式,带六个引脚,便于在密集的电路板上自动放置和焊接。

栅极是否能处理更高的控制电压?

栅极电压不应超过最大 20 V,以避免损坏栅极氧化物并保持指定性能。

该设备是否支持单芯片上的多元件配置?

是,它每个芯片包含两个元件,采用隔离配置,可实现对接开关排列,无需外部隔离。

Vishay , 2 P型沟道 隔离式 增强型 功率 MOSFET, Vds=30 V, 2.3 A, TSOP, 表面安装, 6引脚, TrenchFET系列, SI3993CDV-T1-GE3

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