Vishay N型, P型沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=40 V, Id=8 A, 8针, SOIC, TrenchFET系列

查看所有MOSFET

小计（1 包，共 10 件）*

RMB90.58

(不含税)

RMB102.36

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 另外 32,610 件在 2026年9月21日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位
每单位
每包*
10 +RMB9.058RMB90.58

* 参考价格

包装方式：
RS 库存编号:
812-3230
制造商零件编号:
SI4564DY-T1-GE3
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型, P型

最大连续漏极电流 Id

8A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

SOIC

系列

TrenchFET

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

20mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

3.2W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

20.5nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

晶体管配置

隔离式

长度

5mm

标准/认证

No

宽度

4mm

高度

1.55mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

双N/P通道MOSFET，Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


相关链接