Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=1.2 A, 4针, SOT-223, OptiMOS系列

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 包，共 50 件）*

RMB139.45

(不含税)

RMB157.60

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 700 件在 2026年10月07日 发货
  • 另外 150 件在 2026年10月07日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位
每单位
每包*
50 - 200RMB2.789RMB139.45
250 - 450RMB2.733RMB136.65
500 +RMB2.678RMB133.90

* 参考价格

包装方式：
RS 库存编号:
826-9260
Distrelec 货号:
304-44-413
制造商零件编号:
BSP296NH6327XTSA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

1.2A

最大漏源电压 Vd

100V

系列

OptiMOS

包装类型

SOT-223

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

800mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

1.8W

正向电压 Vf

0.85V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

4.5nC

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

宽度

3.5mm

标准/认证

No

高度

1.6mm

长度

6.5mm

汽车标准

AEC-Q101

Infineon OptiMOS 系列 MOSFET，100V 最大漏源电压，1.2A 最大连续漏极电流 - BSP296NH6327XTSA1


这款 MOSFET 是一款表面安装功率晶体管，专为汽车和工业环境中的开关和控制而设计。它可用作 N 通道增强型设备，适用于需要中等电流处理能力和高压耐受能力的应用，同时可承受宽环境温度范围，适用于苛刻环境。

特性和优点：


• 100V 漏源额定值可实现高压开关
• 1.2A 连续漏极电流支持中等负载电流
• 800 mΩ 的 Rds(on) 可降低负载下的导通损耗
• 4.5 nC 典型栅极电荷，可实现更快的开关转换
• 1.8W 最大功耗可在紧凑型组件中管理热负载
• ±20V 栅极容差支持常见栅极驱动电压

应用


• 适用于需要 AEC‑Q101 认证的汽车控制模块
• 适用于紧凑型电源中的 DC/DC 转换器级
• 用于辅助系统中的低功率电机驱动器
• 可用于电池管理和配电任务
• 适用于便携式和嵌入式设备的开关模式调节

在 PCB 布局方面，应预期采用哪种封装类型？


它采用 SOT‑223 表面安装封装，配有四个引脚，支持单面导热，便于直接集成到板上。

在高温条件下，其热性能如何？


该设备的额定工作温度范围为 -55 °C 至 150 °C，功耗限制在 1.8W 以防止连续运行时过热。

设计过程中必须遵守哪些栅极驱动限制？


最大允许栅源电压为 20V，因此应配置栅极驱动器，以避免超过该电平，从而保护栅极氧化层。

在快速 PWM 应用中，哪个参数对开关效率影响最大？


典型栅极电荷为 4.5 nC，在快速状态变化过程中直接影响开关损耗和驱动能量需求。

相关链接