STMicroelectronics 单 N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 5 A, PowerSO, 表面安装, 10引脚, PD55015-E, LdmoST系列
- RS 库存编号:
- 829-0627
- 制造商零件编号:
- PD55015-E
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 + | RMB164.81 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 829-0627
- 制造商零件编号:
- PD55015-E
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 工作频率 | 1 GHz | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 5A | |
| 输出功率 | 15W | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | LdmoST | |
| 包装类型 | PowerSO | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 10 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | 65°C | |
| 最高工作温度 | 165°C | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 高度 | 3.6mm | |
| 标准/认证 | JEDEC Approved | |
| 长度 | 9.6mm | |
| 宽度 | 9.5 mm | |
| 典型功率增益 | 14dB | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
工作频率 1 GHz | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 5A | ||
输出功率 15W | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 LdmoST | ||
包装类型 PowerSO | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 10 | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 65°C | ||
最高工作温度 165°C | ||
晶体管配置 单 | ||
高度 3.6mm | ||
标准/认证 JEDEC Approved | ||
长度 9.6mm | ||
宽度 9.5 mm | ||
典型功率增益 14dB | ||
汽车标准 否 | ||
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
射频 MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
射频晶体管为 LDMOS，适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。