Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=9.7 A, 3针, TO-263, HEXFET系列

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831-2821
制造商零件编号:
IRF520NSTRLPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

9.7A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

TO-263

系列

HEXFET

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

200mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

48W

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

25nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.3V

最高工作温度

175°C

长度

10.67mm

高度

4.83mm

宽度

9.65mm

标准/认证

No

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，9.7A 最大连续漏极电流，48W 最大功率耗散 - IRF520NSTRLPBF


这款 MOSFET 专为各种应用中的高效开关和放大而设计。其高功率处理能力为自动化和电子领域提供了多功能性。该设备采用先进的工艺技术，确保性能和可靠性，适用于各种操作环境。这种 MOSFET 的特性大大提高了电路性能。

特点和优势


• 低导通电阻有助于提高能效

• 9.7A 的高额定漏极电流支持强劲的性能

• 最大漏极-源极电压为 100V，为应用提供了灵活性

• 增强模式可实现有效的切换功能

• 表面贴装设计可实现紧凑的 PCB 布局

应用


• 用于能量转换的电源管理系统

• 适用于需要快速切换的自动化控制装置

• 应用于精密电机控制电路

• 在太阳能逆变器等可再生能源系统中使用

• 用于音频放大器以提高音质

该元件采用表面贴装设计，与自动 PCB 组装工艺兼容，是高密度布局的理想之选。

是的，它的最高工作温度为 +175°C ，使其在不影响性能的情况下适用于恶劣环境。

是的，它的快速开关速度提高了 PWM 和 DC-DC 转换器等应用的性能。

内部漏极电感通常为 4.5nH，有助于实现灵敏的操作。

它的最大功率耗散为 48W，确保了各种电路的热稳定性和有效性能。

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