Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 70 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, SiHG70N60EF-GE3, EF系列
- RS 库存编号:
- 903-4475
- 制造商零件编号:
- SiHG70N60EF-GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 件）*
¥89.66
(不含税)
¥101.32
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年4月07日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 12 | RMB89.66 |
| 13 - 24 | RMB86.96 |
| 25 + | RMB84.35 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 903-4475
- 制造商零件编号:
- SiHG70N60EF-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 70A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | EF | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 38mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最大功耗 Pd | 520W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 253nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 15.87mm | |
| 宽度 | 5.31 mm | |
| 高度 | 20.82mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 70A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 EF | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 38mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最大功耗 Pd 520W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 253nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 15.87mm | ||
宽度 5.31 mm | ||
高度 20.82mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N 通道 MOSFET，带快速二极管，EF 系列，Vishay Semiconductor
减少反向恢复时间、反向恢复电荷和反向恢复电流
低品质因数 (FOM)
低输入电容 (Ciss)
由于低反向恢复电荷，提高了坚固性
超低栅极电荷 (Qg)