Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=180 A, 7针, TO-263, OptiMOS 5系列

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RS 库存编号:
906-4353
制造商零件编号:
IPB010N06NATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

180A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TO-263

系列

OptiMOS 5

安装类型

表面

引脚数目

7

最大漏源电阻 Rd

1.5mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

208nC

最大功耗 Pd

300W

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

最高工作温度

175°C

长度

10.31mm

高度

9.45mm

标准/认证

No

宽度

4.57mm

汽车标准

否

豁免

Infineon OptiMOS 5 系列 MOSFET，60V 漏源电压，180A 连续漏极电流 - IPB010N06NATMA1


该MOSFET是一款大电流N沟道增强型器件，专为表面贴装应用的功率开关操作而设计。它可在宽温度范围内工作，适用于要求低导通损耗和稳健栅极控制的严苛电气环境。

特性和优点：


• 60V 漏极额定值，可实现中压开关能力
• 1.5mΩ导通电阻，可降低大电流路径中的导通损耗
• 支持180A持续漏极电流，可满足重载需求
• 最大功耗300W，支持持续热负载
• 典型栅极电荷为208nC，确保可预测的开关特性
• 20V 最大栅源电压，用于保护栅极驱动限值

应用


• 适用于电力系统中的高电流直流-直流转换器
• 适用于服务器和电信配电模块
• 用于需要低导通电阻开关的电机控制器
• 可用于电池管理和电力调整
• 适用于工业电子领域的通用功率级应用

该器件在运行期间能承受的温度范围是多少？


它可在-55°C至175°C的温度范围内运行，适用于冷启动和高温环境。

它应如何安装在电路板上？


该元件采用TO-263封装，专为表面贴装和焊接而设计。

需要注意哪些栅极驱动因素？


栅极电压不得超过20V Vgs，在选型驱动器以满足开关速度和损耗目标时，应考虑208nC典型栅极电荷。

在体二极管导通期间，哪个正向电压是相关的？


正向导通电压约为1.2V，反向电流事件的损耗计算应将其考虑在内。

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