Vishay P型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=-60 V, -1.8 A, SOT-223, 表面安装, 4引脚, IRFL9014系列

RS 库存编号:: 919-0824
制造商零件编号:: IRFL9014TRPBF
制造商:: Vishay

Vishay P型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=-60 V, -1.8 A, SOT-223, 表面安装, 4引脚, IRFL9014系列

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制造商零件编号:: IRFL9014TRPBF
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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	P型
	产品类型	功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	-1.8A
	最大漏源电压 Vd	-60V
	系列	IRFL9014
	包装类型	SOT-223
	安装类型	表面
	引脚数目	4
	最大漏源电阻 Rd	500mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	12nC
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	-5.5V
	最大功耗 Pd	3.1W
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	150°C
	长度	6.7mm
	高度	1.45mm
	标准/认证	RoHS
	宽度	3.7mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 P型
	产品类型功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id -1.8A
	最大漏源电压 Vd -60V
	系列 IRFL9014
	包装类型 SOT-223
	安装类型表面
	引脚数目 4
	最大漏源电阻 Rd 500mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 12nC
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf -5.5V
	最大功耗 Pd 3.1W
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 150°C
	长度 6.7mm
	高度 1.45mm
	标准/认证 RoHS
	宽度 3.7mm
	汽车标准否

COO (Country of Origin):: MY

Vishay IRFL9014 系列功率 MOSFET,-60 V 漏源电压,500 mΩ 漏源电阻 - IRFL9014TRPBF

这款功率 MOSFET 是一款 P 通道增强装置,专为电子和机电系统中的表面贴装功率开关而设计。它可在宽温度范围内工作,适用于紧凑型 SOT‐223 封装中需要受控高侧开关和热坚固性的应用。

特性和优点：

• P‐通道配置可实现简化的高侧切换
• 额定值为-60V漏‐到‐源耐受性,提供强大的电压余差
• -1.8A 的连续漏电流支持中等负载电流
• 500 mΩ 的低导通电阻可减少传导损耗
• 典型栅极电荷为 12nC,可实现可预测的开关行为
• 3.1W 的功耗可在受限外壳中持续运行

应用

• 适用于自动化控制模块中的高侧负载切换
• 适用于电池管理和电源路径控制电路
• 用于紧凑型组件中的电机驱动门网络
• 可用于极性保护和反向电流防护

控制电路允许的栅极电压范围是多少?

门到源可驱动高达 20V,可与各种控制器输出电平兼容。

热环境对运行限制有何影响?

该设备的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,因此热设计应确保接点温度保持在此范围内,以实现可靠运行。

紧凑型板设计适用的安装注意事项是什么?

它采用SOT‐223表面贴装封装,带四个引脚,可直接对PCB焊接并将热量传输到板铜。

在开关条件下,设计人员应期望的电气坚固性是多少?

指定正向电压为-5.5V,典型栅极电荷为12nC,为设计人员提供驱动要求和开关瞬态信息,实现可靠的栅极控制。

Vishay P型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=-60 V, -1.8 A, SOT-223, 表面安装, 4引脚, IRFL9014系列

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